Bu çalışmada InSe, CIS ve CIGS ince filmleri elektrokimyasal kaplama yöntemi ile cam/ITO alt tabanı üzerine kaplandı. Elde edilen filmler iki gruba ayırıldı ve bir grubu tavlandı. Hem tavlanmamış hem de tavlanmış filmlerin yapısal, yüzeysel ve optiksel özellikleri ayrı ayrı incelendi. Daha sonra tavlanmış ve tavlanmamış cam/ITO/InSe, cam/ITO/CIS, cam/ITO/CIGS ince filmlerinin üzerine ayrı ayrı rubrene (C42H28) ve coronene (C24H12) organik yarıiletken bileşikleri PVD yöntemi ile kaplandı. Elde edilen heteroeklemlerin yapısal, yüzeysel ve optiksel özellikleri ve bu heteroeklemlere In (indiyum) kontaklar alarak karanlık ve ışıklı ortamlarda elektriksel özellikleri incelendi. XRD analizinden cam/ITO/InSe ince filminin InSe ve In2O3 fazlarını tavlandıktan sonra InSe, In6Se7 ve In2(SeO4)3 fazlarını içerdiği, cam/ITO/CIS ince filminin CuInSe2, (Cu2Se)x(In2Se3)1-x, In2Se3, CuSe ve InSe fazlarını tavlandıktan sonra Cu0,28In1,72Se2,72, In2O3, (Cu2Se3)x(In2Se3)1-x, CuO, CuSe fazlarını içerdiği, cam/ITO/CIGS ince filminin CuGa2O14Se4, CuGa0,6In2,4Se5, In2O3, CuIn3Se5, In4Se3, CuGa2O4, CuO fazlarını tavlandıktan sonra CuGa0,6In0,4Se2, CuGa0,6In2,4Se5, InSe, In6Se7 fazlarını içerdiği gözlendi. Filmlerin yüzey morfolojileri AFM, SEM ve EDS ile ayrı ayrı incelendi. UV-Vis analizinden ince filmlerin yasak enerji aralıkları ve 400 ve 700 nm de geçirgenliklik değerleri belirlendi. Karanlık ve ışıklı ortamlarda gerçekleştirilen I-V karakterizasyonunda heteroeklemlerin tamamının ışığa duyarlı olduğu ve bazı filmlerin doğrultucu karakteristik gösterdiği gözlemlendi.
In this study, we coated InSe CIS and CIGS thin films on the glass/ITO substrate by electrochemical coating method. We divided the thin films obtained into two groups and annealed one groups. We separately examined the stuctural, surface and optical properties of both non-annealed and annealed thin films. Later we separately coated rubrene and coronene organic semiconductor compounds on the annealed and non-annealed glass/ITO/InSe, glass/ITO/CIS and glass/ITO/CIGS thin films by PVD method. We investigated the structural, surface and optical properties of the heterojoints obtained and the electrical properties in dark and light environments by taking In (indiyum) contacts to these heterojoints. From the XRD analysis, it was seen that InSe thin film contains InSe and In2O3 phases, annealed InSe thin film contains InSe, In6Se7 ve In2(SeO4)3 phases, CIS thin film contains CuInSe2, (Cu2Se)x(In2Se3)1-x, In2Se3, CuSe and InSe, annealed CIS thin film contains Cu0,28In1,72Se2,72, In2O3, (Cu2Se3)x(In2Se3)1-x, CuO and CuSe phases, CIGS thin film contains CuGa2O14Se4, CuGa0,6In2,4Se5, In2O3, CuIn3Se5, In4Se3, CuGa2O4 and CuO phases, annealed CIGS thin film CuGa0,6In0,4Se2, CuGa0,6In2,4Se5, InSe, In6Se7. Surface morphology of films were examined with AFM, SEM and EDS. From the UV-Vis analysis, the band gap values and transmitance values at 400 nm-700 nm of thin films were determined. In I-V characterization performed in dark and light environments, it was observed that all of the heterojoints were light sensitive and some films showed rectifier characteristics.
