Yazar "Gürsul, Sevgi" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim
    Öğe
    Farklı memristör emülatörlerinin elektronik devreler üzerindeki etkilerinin incelenmesi
    (İnönü Üniversitesi, 2020) Gürsul, Sevgi
    Hafızalı direnç kelimelerinin kısaltması olarak tanımlanan memristör elemanı direnç, kondansatör ve bobinden sonra dördüncü pasif devre elemanı olarak literatürde yerini almıştır. Böyle bir pasif elemanın var olması gerekliliği ilk kez 1971 yılında Berkeley Üniversitesi araştırmacılarından Prof Leon O. Chua tarafından teorik olarak ispat edilmiştir. Bununla birlikte, memristörün fiziksel olarak gerçekleştirilmesi uzun bir zaman almıştır. 2008 yılında HP laboratuvarlarında R. Stanley Williams ve ekibi doğrusal iyon sürüklemeli bir memristör modeli elde etmiştir. Memristörün modellenmesinden sonra bu konuya olan ilgi sürekli artmış, böylece birçok yeni memristör modeli ve emülatör tasarımı rapor edilmiştir. Bu model ve emülatörler kullanılarak memristör elemanının elektronik devreler, sinyal işleme, kaotik sistemler, yapay sinir ağları ve kontrol sistem tasarımı gibi birçok alanda avantajlar sağladığı gösterilmiştir. Bu tez çalışmasında literatürde memristör için verilen farklı emülatör devreleri tanıtılarak bu emülatörlerin örnek olarak seçilen filtre, osilatör ve mantık kapısı devrelerinde performanslarının karşılaştırılması yapılmıştır. Memristörün ticari olarak satışının yaygın olmaması ve yüksek maliyetli olmasından ötürü tercih edilen bu memristör emülatörleri farklı elektronik devreler üzerinde standart direnç yerine kullanılmıştır. Filtre, osilatör ve mantık kapı devresine uygulanan memristifliğin kesim frekansı, bant genişliği ve güç tüketimi gibi bazı teknik özellikler üzerine etkileri hem benzetim hem de deneysel çalışmalarla incelenmiştir. Böylelikle hem standart dirençli devre ile memristif devrenin performans karşılaştırması hem de memristör emülatörlerinin birbirleriyle performans karşılaştırması gerçekleştirilmiştir. Yapılan çalışmaların sonuçları göz önüne alındığında, standart direnç elemanı yerine elektronik devrelerde memristör emülatörü kullanımının bant genişliğini daraltmada, kesme frekansını ayarlamada ve güç tüketimini azaltmada önemli faydalar sağladığı gözlenmiştir.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Investigation of Power Consumption Effect of Various Memristor Emulators on a Logic Gate
    (2021) Gürsul, Sevgi; Hamamcı, Serdar Ethem
    Memristor, also known as memory resistor, is considered as the fourth passive electronic element expressing the relationship between magnetic flux and electric charge. One of the most important features of the memristor is that it has low power consumption. Minimizing power consumption is an important issue in the electronic circuits. However, the fact that the memristor element was not yet fully manufactured has led researchers to design memristor-like emulator circuits. These circuits, which approximate the memristor properties, are realized by combining the other existing electronic elements. In this paper, a basic NAND logic gate is considered and the change in power consumption when using a memristor instead of the standard resistor in the gate circuit is examined. For this purpose, the NAND logic circuit was constituted for four different memristor emulators, and the power consumption values of these circuits were obtained by simulation and experiments. These values are compared with the power consumption values of NAND circuits obtained by using standard resistors equivalent to the memristor resistance. The results clearly show that the memristor gate circuits reduce power consumption compared to standard resistive gate circuits.